中国虽然是全球最大的芯片消耗国家，但一颗小小的芯片却掐住了很多中企的脖子，看似强大的中国制造业，实际上利润非常微薄，更多的利润流向了西方国家的口袋。
因为中国虽然成为了手机、电脑、电视等产品的主要生产地，但芯片的来源渠道依然是国外，原因就在于西方国家掌握了生产芯片的核心技术。
一颗小小的芯片却包含了全球最顶尖的技术，在网络、微电子、材料、化学、机械、数学物理等学科，都需要掌握顶尖技术，虽然中企有设计高端芯片的实力，但在生产上却存在严重不足。
以材料学科为例，顶尖材料基本被美国和日本两国所垄断，占据上游供应链的美、日两国，就能直接限制中国半导体产业的发展，这是我们非常无力的一方面。
那是否就意味着我国在半导体材料领域就毫无机会呢，事实上近几年我国就在加速突破半导体关键技术，并取得了显著研究成果。
今年2月，中国电科46所就正式宣布，成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平，将有力支撑我国氧化镓材料实用化进程和相关产业发展。
没隔多久，中国高校又传来了好消息，西安邮电大学在校园突然宣布，在半导体材料领域取得了突破，成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片，这标志着在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。
那么氧化镓外延片究竟是怎么样的半导体材料呢，又有哪些实际应用呢？
据了解，氧化镓是一种超宽禁带半导体材料，在功率器件和光电领域应用潜力巨大。
西安邮电大学研制出的氧化镓外延片是第四代半导体材料，和前几代材料相比，氧化镓的特性在于有更高的击穿电场强度以及更低的导通电阻，对提高功率转换有更好的效果。
除此以外，氧化镓材料的化学特性非常出色，具有较高的产业应用优势，是打破摩尔定律极限的新方向。
当前芯片生产工艺已陷入瓶颈期，传统的硅晶材料由于硬度高，生产难度大，所以越往后就越难做出更高规格的工艺水平了，因为摩尔定律极限不是那么好突破的。
想要打破摩尔定律，最好的方式就是从新材料、新工艺等领域入手，在新的方向上寻找捷径，远比在传统材料上打破摩尔定律的机会更大。
而我国在氧化镓材料上先是研制出6英寸氧化镓单晶，随后又在8英寸领域取得了重大进展，证明中国氧化镓材料的制备技术正逐渐走向成熟，接下来的重心就是突破12英寸晶圆的制备技术。
如果我们有实力规模化生产12英寸晶圆，将会大幅提升氧化镓材料芯片产能，未来可广泛应用在更多的领域，对于国内半导体产业的发展也将起到重大意义。
现如今，我国在半导体领域取得的成就越来越多了，今年以来传出的好消息源源不断，现在又在关键的材料领域取得了突破，让我们对中国半导体产业的未来更具期待了。
中国传来的好消息也被不少外媒报道，并认为美国的制裁正在失效，正如比尔盖茨所预判的那样，越是制裁中国，就越会激发中国自给自足的决心。
从现在的情况来看，中国确实在加快研发的脚步了，在众多领域中的不断突破就说明了一切。
毫无疑问，美国对中企的封锁制裁将在不久之后全面瓦解，这是大势所趋，只要中国科技企业和各大高校齐心协力，就一定能够打造出属于中国自己的半导体产业链。
在我看来，短则三到五年，长则八到十年，中国一定能够在半导体领域赶上西方的步伐，现在已经是最后的冲刺阶段了，只要中企铆足劲加油干，就一定能够干出成果。
那么你们是否看好我国在半导体领域的发展机遇呢，欢迎评论、点赞、分享，谈谈你的看法。
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