在冲突爆发后，美方对俄罗斯做出了芯片制裁的举措，一声令下，Intel、AMD、 台积电、三星等几乎所有主流厂商，都已全面停止与俄罗斯的业务往来。
不过俄罗斯并不担心如此被动的局面，现在突然决定要制造先进光刻机，所对标的就是ASML生产的EUV光刻机，这种一台能卖1.5亿欧元、核心技术都与美方相关联的光刻机。
俄罗斯莫斯科电子技术学院日前宣布，接下了贸工部首批6.7亿卢布资金，将用于制造光刻机，而且号称要达到EUV级别，但路线是X射线技术，不需要光掩模就能生产芯片。
据了解，俄罗斯的技术方向与ASML生产的EUV完全不同，ASML采用的是极紫外光EUV，波长13.5nm，可以用于制造7nm及以下的先进工艺。
而俄罗斯研发的则是基于同步辐射加速器和等离子体源的无掩模X射线光刻机，使用的是X射线，波长介于0.01nm到10nm之间，比EUV极紫外光还要短。
决定光刻机分辨率的主要因素有三点，分别是常数K、光源波长和物镜的数值孔径，波长越短分辨率越高，所以俄罗斯采用的X射线光刻机，理论上要比ASML EUV光刻机更好更先进。
同时X射线光刻机还有一个优势就是不需要光掩模版，可以直写光刻，所以这也省掉了很大一笔费用，正因为X射线和可直写光刻的优势，让当地媒体宣传为ASML也做不到的光刻机。
那么俄罗斯为何有如此底气挑战ASML EUV光刻机呢，那是因为早在上个世纪80年代，他们就已经在研究制造光源了。
1984年俄罗斯开始研发同步辐射加速器，虽然在开展4年后就被暂停，但2002年又再次试运行，现在俄罗斯打算基于这些技术积累建设一个技术中心，并计划于2023年正式投入使用。
至于无掩模光刻技术，俄罗斯很早以前就已经开展了部分研究，所以从这些方面考虑，俄罗斯开发光刻机的计划也并非完全不靠谱，或许未来几年真的能够做成。
而该消息在被不少西方媒体报道之后，美方突然宣布冻结俄罗斯21家实体企业、13个人的在美资产，其中就包括俄罗斯最大的芯片制造商、微电子制造商和出口商Mikron。
这一举动被外媒报道，认为ASML开始担心了，一旦俄罗斯成功研制出可比肩自家EUV光刻机的产品，那么全球先进光刻机市场将不再是ASML一家独大的局面。
外媒还表示，让ASML如此担心的不只是俄罗斯，还有来自中国的华为，因为前不久华为公布的一项芯片发明专利，或许不需要ASML EUV光刻机也能够做出行业领先的芯片。
目前一台EUV光刻机的均价在1.5亿欧元左右，相当于人民币10亿元，建设一条高端芯片生产线需要投入上百亿美元的资金，极大地提升了芯片的生产成本。
台积电便是如此，虽然营收和净利润都在提升，但由于4nm、5nm的比重越来越高，导致台积电的利润率开始下滑，意味着芯片的生产成本确实提升了。
而华为公布的“一种芯片堆叠封装及终端设备”的发明专利，或许可能解决芯片成本昂贵的问题。
现在的高性能芯片几乎都是采用先进制程工艺，通过工艺换取性能升级，华为公布的方案是一种堆叠封装设计是通过堆叠换取性能，既然能够通过堆叠提升性能，那么先进工艺也就没有那么重要了。
大陆晶圆代工厂中芯国际已掌握14nm工艺，并具备大规模生产的能力，如果华为能顺利研发出堆叠芯片，那么ASML EUV光刻机将不再是唯一提升芯片性能的方向。
正是基于这些原因，外媒认为ASML开始担心了，从这家企业近期的反应来看也确实如此，近日ASML发布了一款高数值孔径 (High-NA) EUV光刻机EXE:5000系列。
据了解，EXE:5000系列光刻机可以制造2nm芯片，不过价格也高得惊人，达到了3亿美元。
最后希望俄罗斯的无掩模X射线光刻机和华为的堆叠芯片都能够做成功，这样就能够降低高性能芯片的高成本问题，也可以化解美方技术制裁的风险。对此你怎么看呢，欢迎评论、点赞、分享。
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