突破技术“锁死”!国产4nm小芯片量产,很快就会获得进展!

每当谈及卡脖子问题时,“缺芯少魂”总是绕不开的话题,在过去20多年里,我国一直未能摆脱这一困境,美国的技术锁死让我们无法在这些领域中取得较大的突破。

无论是芯片还是操作系统,都是我国当下面临的巨大短板,先进芯片几乎被美国掌控的企业所垄断,系统同样被微软的Windows、苹果的Mac OS、iOS以及谷歌的安卓垄断了。

突破技术“锁死”!国产4nm小芯片量产,很快就会获得进展!

当前在国内,除了华为鸿蒙系统以外,其它国产系统的生存空间非常小,如果美国切断我们的系统,那么后果将不堪设想,比如俄罗斯的苹果手机用户此前就受到了限制。

连系统都没有突破,芯片领域就更不用说了,美国作为半导体产业的发源地,技术渗透到了产业链的方方面面,从设计到制造、封装、测试等,完全实现去美化无比困难。

不过我们可以从某个小的领域中寻求突破,比如华为就公布了堆叠芯片方案,还有光子芯片以及超导量子芯片等多条前瞻路线,这样做可以助力中国半导体产业链加速突破。

突破技术“锁死”!国产4nm小芯片量产,很快就会获得进展!

既然我国在传统硅基芯片领域遭遇技术锁死了,与其在先进制程工艺上绞尽脑汁,倒不如换个方向,想办法实现“弯道超车”,现在好消息已经传来了。

日前,长电科技正式宣布,该公司开发的XDFOI小芯片高密度多维异构集成系列工艺,目前已按计划进入稳定量产阶段,并同步实现国际客户4nm节点多芯片系统集成封装产品出货。

小芯片不同于传统的芯片设计方案,并非必须将所有的晶体管全部整合在一块芯片内,而是可以将多个功能相异的芯片通过先进封装技术整合在一起,从而形成一个系统芯片。

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如此一来,小芯片就能避开先进制程,使用成熟制程生产性能相近的芯片,完美地规避了美国的技术锁死!

据了解,长电科技将充分发挥这一工艺的技术优势,应用于高性能计算、人工智能、5G、汽车电子等领域,并向客户提供更轻薄、数据传输速率更快、功率损耗更小的芯片成品制造解决方案。

对于长电科技的这项技术突破,有媒体认为是中国突破美国芯片科技禁运的快捷方式,也是重要路线之一,相信很快就会获得明显进展。

毫无疑问,长电科技的这项先进技术对于我国芯片产业来说将是意义重大的,在摩尔定律放缓的大背景下,我们可以利用28nm、14nm等成熟制程生产小芯片,从而实现等效5nm乃至4nm芯片的性能。

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更重要的是,这样做还能大幅降低生产成本,因为相比先进工艺来说,成熟工艺的生产成本要明显低得多,所以小芯片方案还能做到取长补短、实现一加一大于二的效果。

只要我们能够成功地掌握小芯片技术,未来就不会因为缺少EUV光刻机而无法生产先进芯片了,理论上完全可以用当前已有的DUV光刻机搭配小芯片技术,生产出性能和功耗均达到先进制程的芯片。

不过我国想要真正打通这条产业链还需要一些时日,芯片行业并非互联网行业,能够在短时间内取得技术爆发,芯片行业需要日复一日的技术和经验积累。

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但我相信,凭借中国人的智慧和永不言败的精神,完全有机会在小芯片、堆叠芯片乃至光子芯片等领域取得突破,一旦我国完全实现突破,也就该轮到美国头疼了。

由此可以看出,美国的技术锁死根本无法打败我们,持续封锁下只会让我们变得更加强大,华为就是典型的例子。对此你怎么看呢,欢迎评论、点赞、分享。

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王石头
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