在半导体行业，想要真正地不受限于人，研发国产光刻机必然是绕不过的坎儿。
荷兰ASML掌握着全球领先的光刻机生产技术，但这家公司无法自由向我们供货，极大地限制了我国在半导体行业发展。
生产性能出色的芯片就需要更先进的光刻机，目前在光刻机领域的高端机型分为两种，一种是ArFi光刻机，叫作浸没式深紫外光刻机，还有一种大家熟悉的EUV光刻机，也被称为极紫外光刻机。
两种光刻机的区别是光源波长，ArFi光刻机本身还是ArF的光源，波长为193nm，在经过超纯水折射后可以做到等效134nm，而EUV光刻机的光源波长为13.5纳米。
而数值越小代表着可制造芯片的工艺越先进，这也是7nm及以下制程的芯片必须要用EUV光刻机设备的原因，因为ArFi光刻机卡在了光源波长上面，而目前能够生产EUV光刻机的厂商只有ASML。
所以没有ASML的先进光刻机，我们自主研发的高端芯片也只能被迫停产，因为没有光刻机生产芯片，一切都是白忙活。不过好消息是我们有望在ARFi光刻机这块取得突破了。
目前国内已经做出了ArF光刻机，技术还没有达到该类型最好的水平，国产光刻机的分辨率为90nm，可以生产65nm的芯片。
但现在有关国产ArFi光刻机的消息已经传来了，因为就在前些时候，国望光学的超净室工程已经开标，官方明确表示，该生产基地将生产多个工艺的光学曝光系统，其中就包括28nm。
而28nm就是ArFi光刻机的分水岭，因为无论是ASML还是尼康等企业做出的ArFi光刻机都只能达到38nm，后期是通过透镜光学系统做到的最优方案，也就是1.35的数值孔径。
可见，28nm分辨率是ArFi光刻机的终极水平，想要达到28nm分辨率，就必须解决透镜光学系统这道难关，但现在国望光学已经取得了突破，意味着掌握了业界领先的技术。
在解决28nm这道门槛之后，芯片制造工艺便可以通过一些制造方法解决，例如采用多重图形、双重曝光等技术，做出14nm、10nm制程的芯片也不是难事。
所以只要我们成功突破28nm之后，一直到7nm都将是长驱直入的，量产芯片也能最大程度地满足市场需求，而下一个要解决的难题就是EUV光刻机。
那么国产光刻机突破28nm，对于国内半导体产业发展而言，究竟有着怎样的意义呢？其实台积电等半导体代工企业，这两年都在积极地扩建28nm在内的生产线了，比如台积电南京工厂就在扩产28nm芯片。
另外还有中国大陆的半导体代工企业中芯国际，同样在28nm工艺上加大了产能，这就意味着接下来28nm及以下的市场需求量将稳步提升。
仔细想来也很正常，毕竟这两年新能源汽车发展飞快，对于车规级芯片的需求量非常大，相信未来对28nm等芯片的需求量还将进一步提升。
届时国内企业对28nm光刻机的需求也会大幅提升，假如国产光刻机真的成功实现了交付，那么对中国大陆的半导体产业来说，必将起到非常积极的推动作用。
如此一来，我国的半导体产业必将长驱直入，实现历史上最伟大的跨越。对此你怎么看呢，欢迎评论、点赞、分享。
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