28nm即将“突破”,未来有望长驱直入,国产先进光刻机要来了!

在半导体行业,想要真正地不受限于人,研发国产光刻机必然是绕不过的坎儿。

荷兰ASML掌握着全球领先的光刻机生产技术,但这家公司无法自由向我们供货,极大地限制了我国在半导体行业发展。

28nm即将“突破”,未来有望长驱直入,国产先进光刻机要来了!

生产性能出色的芯片就需要更先进的光刻机,目前在光刻机领域的高端机型分为两种,一种是ArFi光刻机,叫作浸没式深紫外光刻机,还有一种大家熟悉的EUV光刻机,也被称为极紫外光刻机。

两种光刻机的区别是光源波长,ArFi光刻机本身还是ArF的光源,波长为193nm,在经过超纯水折射后可以做到等效134nm,而EUV光刻机的光源波长为13.5纳米。

而数值越小代表着可制造芯片的工艺越先进,这也是7nm及以下制程的芯片必须要用EUV光刻机设备的原因,因为ArFi光刻机卡在了光源波长上面,而目前能够生产EUV光刻机的厂商只有ASML。

所以没有ASML的先进光刻机,我们自主研发的高端芯片也只能被迫停产,因为没有光刻机生产芯片,一切都是白忙活。不过好消息是我们有望在ARFi光刻机这块取得突破了。

目前国内已经做出了ArF光刻机,技术还没有达到该类型最好的水平,国产光刻机的分辨率为90nm,可以生产65nm的芯片。

但现在有关国产ArFi光刻机的消息已经传来了,因为就在前些时候,国望光学的超净室工程已经开标,官方明确表示,该生产基地将生产多个工艺的光学曝光系统,其中就包括28nm。

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而28nm就是ArFi光刻机的分水岭,因为无论是ASML还是尼康等企业做出的ArFi光刻机都只能达到38nm,后期是通过透镜光学系统做到的最优方案,也就是1.35的数值孔径。

可见,28nm分辨率是ArFi光刻机的终极水平,想要达到28nm分辨率,就必须解决透镜光学系统这道难关,但现在国望光学已经取得了突破,意味着掌握了业界领先的技术。

在解决28nm这道门槛之后,芯片制造工艺便可以通过一些制造方法解决,例如采用多重图形、双重曝光等技术,做出14nm、10nm制程的芯片也不是难事。

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所以只要我们成功突破28nm之后,一直到7nm都将是长驱直入的,量产芯片也能最大程度地满足市场需求,而下一个要解决的难题就是EUV光刻机。

那么国产光刻机突破28nm,对于国内半导体产业发展而言,究竟有着怎样的意义呢?其实台积电等半导体代工企业,这两年都在积极地扩建28nm在内的生产线了,比如台积电南京工厂就在扩产28nm芯片。

另外还有中国大陆的半导体代工企业中芯国际,同样在28nm工艺上加大了产能,这就意味着接下来28nm及以下的市场需求量将稳步提升。

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仔细想来也很正常,毕竟这两年新能源汽车发展飞快,对于车规级芯片的需求量非常大,相信未来对28nm等芯片的需求量还将进一步提升。

届时国内企业对28nm光刻机的需求也会大幅提升,假如国产光刻机真的成功实现了交付,那么对中国大陆的半导体产业来说,必将起到非常积极的推动作用。

如此一来,我国的半导体产业必将长驱直入,实现历史上最伟大的跨越。对此你怎么看呢,欢迎评论、点赞、分享。

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王石头
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