芯片巨头计划“超车”!首颗3nm芯片问世,比台积电的速度更快!

如今芯片的制程工艺已经实现了5nm水平,不过能够量产5nm乃至7nm芯片的代工厂,全球也只有三星和台积电,这两家厂商的芯片代工水平,已经将其它代工厂远远地甩在了身后。

也就是说,三星和台积电都是双方唯一的对手,不过当下的情况依然是台积电更胜一筹,掌握的5nm工艺也比三星的更加稳定。

此前台积电已经给苹果代工了A14、M1芯片,还给华为代工了麒麟9000芯片,均采用了5nm工艺,在用户的使用过程中,虽然也有功耗翻车的问题,但相比骁龙888还是要轻一些。

作为三星5nm工艺代工的骁龙888芯片,显然就没有那么好运了,此前已经有很多网友吐槽功耗的问题,还有发热也比较严重。

可见,三星虽然掌握了5nm制程,但相比台积电还是有一定差距。

不过现在三星已经找到了超车台积电的方式,尽管5nm工艺相对落后一些,但三星计划在3nm工艺上实现反超,届时也将会有更多企业的订单交给三星。

笔者了解到,三星正在持续加大对3nm技术的投入,按计划可以实现2022年量产,而且近日在IEEE ISSCC国际固态电路大会上,三星还对外展示了一颗3nm工艺的芯片。

三星展示的这颗芯片,是3nm工艺的芯片首次在全球亮相,更重要的是,三星的3nm芯片不仅比台积电更早实现流片,而且技术方面也更具优势。

具体来说,三星的3nm芯片采用的是MBCFEF技术,而台积电依然还是采用的FinFET技术。

尽管FinFET技术已经十分成熟,但该技术已经在芯片上使用了长达十年之久,横跨28nm到如今的5nm,业内的共识是5nm工艺已经成为了FinFET技术所能适应的极限。

其实最理想的情况,应该是7nm工艺的时候就要对FinFET技术进行升级,5nm开始要全面过渡到GAAFET技术。

而GAAFET技术又分为常规GAAFET和MBCFET技术,后者使用的鳍更厚更宽一些,称之为纳米片,所以理论上像5nm乃至3nm工艺,应该要升级到更先进的技术中来。

此前无论是台积电还是三星,5nm工艺都是采用的FinFET技术,所以我们会发现,A14、麒麟9000、骁龙888都有不同程度的功耗翻车,主要是落后的工艺提升了芯片的漏电率。

所以台积电继续在3nm工艺上沿用FinFET技术,其实是要承担很大风险的,未来产品的表现和自身的口碑,都极有可能因此翻车。

相比之下,三星显然做出了更加明智的选择。

根据三星公布的数据来看,使用MBCFEF技术的3nm芯片,相比上代芯片晶体密度将提升80%,性能和能效能提升30%,功耗则可以降低50%。

而台积电基于FinFET技术打造的3nm芯片,显然是不及三星的。

台积电方面表示,3nm工艺相比上代,晶体管密度提升70%,能效提升11%,功耗仅降低了27%,可见功耗确实是个大问题。

不出意外的话,三星将可以借助MBCFEF技术,更好地控制芯片漏电率和功耗翻车的问题,而台积电FinFET技术的3nm芯片,功耗问题将变得尤为明显。

芯片巨头计划“超车”!首颗3nm芯片问世,比台积电的速度更快!

所以在这种情况下,三星其实是有可能实现“超车”的,并且未来有希望从台积电手里抢下更多的订单,包括苹果的订单。

不过三星当下依然面临着不少困难,主要就是MBCFEF技术相对不那么成熟,这也是该技术迟迟没有商用的主要原因,不知道在有限的时间,三星能否将这项新技术做好!

接下来三星和台积电究竟谁输谁赢,当前还不好判断胜负,未来仍有很多的变数。那么你更希望谁能在3nm工艺上占领高地呢?欢迎在评论区留言,谈谈你的看法。

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王石头
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