国产14nm工艺来了！未来十年内，芯片工艺达到领先水平！

中国半导体行业本就比较弱，但你可能没想到，作为半导体行业中最重要的环节，中国大陆的芯片工艺要比芯片自研更加薄弱，一直都是中国芯片厂的痛点，即便是华为能够设计出麒麟芯片，但也需要依靠借助台积电生产。

前些时候有媒体报道，美国打算将“从美国获得的技术”比例从25%调整到10%。也就是说时，只要使用美国标准的技术超过10%，就说明这是美国技术，而最受影响的就是华为，因为一旦落实，华为麒麟芯片可能无法使用台积电的先进工艺。

虽然后来这个消息被台积电否认，但从这个事件的出现，处处不反映着华为所面临的困境，只有自己把握住知识产权才是硬道理，所以作为中国大陆最大的晶圆代工厂，中芯国际未来之路任重而道远。

此前中芯国际已经表示，自家14nm工艺已经在试产了，今年就会迎来一轮爆发，年底有望达到目前的3-5倍，同时今年还有希望试产更先进的7nm工艺。另外外媒也有报道，2025年中国本地PC和服务器的处理器30%有望在境内设计与制造。

据了解，中芯国际14nm工艺早在2015年就开始研发，2019年已经解决了技术问题。之前有媒体还报道，中芯国际高管表态称14nm工艺的良品率已经达到了95%，技术成熟度还是很不错的。

不过对于中芯国际而言，良率达到只是第一道门槛，大规模量产是一个更大的门槛，这个过程最需要的就是客户，需要有14nm工艺的客户需求，需求量越高产能才有可能建设得更大，在这一点上，中芯国际还处于初期阶段，相比三星、台积电劣势明显。

不过对于14nm工艺而言，三星和台积电都已经过了折旧期，所以中芯国际的工艺在成本上优势明显，而且中芯国际也只能依靠中国大陆的客户支持。至于产能问题，2019年底，14nm工艺只有3000到5000晶圆/月，不过2020年的增长可能会很快，年底有望达到15000片晶圆/月，将是目前规模的3到5倍。

中芯国际14nm工艺未来还有望改进到12nm FinFET工艺，按照官方的介绍，主要是晶体管尺寸进一步缩微，功耗可降低20%、性能提升10%、错误率降低20%。再往后，中芯国际还有N+1及N+2代FinFET工艺，其中N+1代工艺有望今年内小规模量产。

不过中芯国际并没有介绍这个“N”指的是哪种工艺，考虑到之前有报道称，中芯国际会跳过10nm工艺，那么N+1极有可能就是7nm节点了，意味着今年内我们就可能看到更先进的7nm工艺，即便是不跳过10nm，今年内能够量产10nm工艺，意味着跟三星、台积电只落后一两代，已经处于主流水平了。

此前有分析师认为，中国本土的晶圆加工厂到2030年有望达到世界领先水平，2020年将是中国半导体行业的一个分水岭，未来中国科技公司能够掌握多项先进的半导体技术，期待那一刻的到来！

​我是王石头，喜欢本文就给我点赞吧！