手机响应速度要提升？三星第五代闪存量产，数据处理大幅提升

随着手机电脑等设备的普及，消费者在购买时也越来越关注其硬件配置了，比如这款产品的闪存采用什么标准，传输速度有多快等。日前就有媒体报道称，三星电子已经正式开始量产第五代三维(3D)V Nand闪存，这是继上代产品发布19个月之后的升级款。

新一代的产品相比上代快40%，能够达到每秒1.4Gb的数据处理速度，层叠层数从64层加厚至96层，进一步提升存储密度的同时而不影响耐久和可靠性，同时工作电压从1.8V减少到了1.2V，幅度高达33%，读取延迟已压缩到50微秒，写入延迟降低30%达到500微秒。

另外值得关注的一点是产能也能得到30%的提升，三星作为全球最大的存储颗粒制造商，为了满足不断增长的市场需求，三星也正在不断的投资建造新的晶圆厂，以提升内存颗粒的产能。

目前关于第五代3D NAND的制程技术改进细媒体还没有多少透露，不过首批首批第五代3D NAND颗粒为256Gb TLC，是消费市场和手机存储里常见的规格，这也能理解，毕竟优先考虑需求量大的市场是必然的选择。

当然在满足手机存储的需求后，也有可能会面向供应服务器和数据中心。如果这批闪存用在手机上，能够极大的提升数据处理速度，同时消费市场的SSD也能大幅提升速度。

我们都知道现在的闪存有3类标准，分别是UFS 2.1、UFS 2.0、和eMMC 5.1，在读写速度上UFS 2.1>UFS 2.0>eMMC 5.1，所以市面上的旗舰手机如小米8，采用的是UFS 2.1，读写速度超过700MB/s。

新一代的三星闪存能达到1.4GB/s数据处理速度，这样的速度能够给今后的设备带来更快的传输表现，比如今后的多任务执行响应速度、游戏加载速度、连拍的照片写入都会得到进一步提升。

可以预见，随着三星闪存颗粒的升级，未来的手机或电脑等设备将有更好的表现。专注3C数码产品，关注王石头，后续还有更精彩的内容哦。