三星企图“弯道超车”,五年内超越台积电,差距却很明显!

在晶圆代工领域,台积电一直都是行业老大,三星则是行业老二,不过老二和老大的差距却非常大,台积电的份额高达58.5%,三星作为老二只有15.8%的份额。

不过作为老二的三星却一心想要超越台积电,并且一直在朝着这个方向努力,此前就已经下定决心要在2030年前持续投入1160亿美元,以实现在3nm制程速度上赶超台积电。

三星企图“弯道超车”,五年内超越台积电,差距却很明显!

这几年三星也没有辜负如此巨大的投入,2020年就实现了5nm量产,2021年又推进4nm量产,2022年6月又宣布已经开始了3nm芯片的生产。

另据三星方面表示,其3nm工艺量产后的良品率已达到60%到70%之间,如此快速的进展,也让三星有底气直呼要在未来5年内超越台积电。

三星高管直言,虽然4nm工艺落后两年,3nm工艺也落后台积电一年,但是三星的2nm工艺已经得到了客户们的认可,客户对三星GAA晶体管技术很满意,几乎所有大公司都在与三星合作。

三星企图“弯道超车”,五年内超越台积电,差距却很明显!

虽然三星方面非常有底气,但是三星5年赶超台积电的目标却没有得到外界的认可,有专家就明确表示不看好三星,认为三星GAA工艺的良率提升很慢,因此三星能够争取到的客户非常有限。

当前,三星确实通过降价等策略抢走了一部分订单,比如AMD和谷歌的部分4nm芯片订单正在由三星生产,那么是否意味着三星能够在晶圆代工领域超越台积电呢?

事实上三星想要超越台积电,5年内肯定是很难实现的,因为两家企业的差距确实很明显,前面就提到了台积电的份额高达58.5%,而三星仅有15.8%,市场份额就注定了三星很难实现短期超越。

三星企图“弯道超车”,五年内超越台积电,差距却很明显!

另一方面,三星在工艺水平上也与台积电有很大的差距。

虽然三星官方表示良率很高,而且三星GAA晶体管技术可以显著增强晶体管性能,要远高于台积电使用的FinFET晶体管技术,但事实上,技术的领先并不意味着良率和性能领先。

在4nm节点上,三星就和台积电有着明显的差距,因为骁龙8 Gen1无论是在性能还是在功耗上,都没有采用台积电4nm工艺的芯片稳定。

所以到了骁龙8+和第二代骁龙8,高通干脆放弃三星的4nm工艺转而重新用上了台积电4nm工艺,因此三星在抢大客户的路上彻底失败了。

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再就是此前还爆出了三星新工艺良率只有35%的问题,而且芯片发热也非常严重,直接吓走了一大批客户,台积电却在这个时候连续两次涨价,定价说明了一切。

而台积电能够有如此明显的优势,是因为其资本开支要远高于三星半导体,虽然三星方面此前表示要在10年间投入1160亿美元,但台积电一年的投入就高达数百亿元。

据台积电在电话会议上透露,2023年的预计资本开支将达到320亿美元至360亿美元区间。

而且台积电这几年基本保持在如此高的位置上,这也是台积电在工艺技术上能够压制三星的原因所在。所以说三星想要在晶圆代工领域超越台积电,困难是非常大的。

​那么你们觉得三星有能力反超台积电吗,欢迎评论、点赞、分享,谈谈你的看法。

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王石头
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