三星落后多年,终于向台积电“宣战”,首颗3nm芯片问世!

芯片作为电子设备的“心脏”,有着十分重要的作用,近年来智能手机不断发展,芯片便成为了国与国之间的综合较量,而生产一颗芯片,往往离不开代工厂的制程工艺技术。

过去几年里,台积电在半导体制程工艺上一直处于行业领先水平,占据了非常多的市场份额,能够追赶得上台积电的厂商,全球范围内也只有三星一家了。

三星在工艺品质上却饱受质疑,无论是稳定性还是良品率都不及台积电,不过三星现在已经在穷追不舍了,并且大有赶超台积电的意思,看来双方一战在所难免了。

日前在IEEE ISSCC国际固态电路大会上,三星对外展示了采用3nm工艺制造的芯片,这是一颗256Mb(32MB)容量的SRAM存储芯片,也是3nm工艺落地的开始。

笔者了解到,三星的这颗3nm SRAM芯片首次用上了GAAFET技术MBCFET(多桥通道场效应晶体管),实现了晶体管结构的突破,使用的鳍更厚更宽一些,称之为纳米片。

这颗芯片的容量为256Mb,面积仅56平方毫米,最令三星骄傲的是这颗芯片的超低功耗,写入电压只有0.23V,这也要感谢MBCFET配套的多种省电技术。

三星的3GAE工艺相比7LPP工艺,可以将晶体管密度增加最多80%,性能提升最多30%或者功耗降低最多50%,这意味着三星接下来可以更好地控制芯片的功耗、发热等问题了。

相比之下,台积电的3nm工艺还将继续使用FinFET技术。

可见在新工艺的应用上,三星确实跑在了台积电的前面,而三星之所以会在技术上实现反超,就不得不提起三星的重大研发投入了。

前些时候有媒体报道称,三星将计划在2030年之前实现对台积电的反超,并已经制定了一份金额高达1150亿美元的持续投资计划,就是为了在未来十年内和台积电展开全面较量。

就在近日,有爆料显示,三星计划投入最多170亿美元,在美国亚利桑那州、得克萨斯州或纽约州建设一家3nm芯片制造厂,这或许就是三星反超台积电的第一步吧!

事实也证明了这一点,有消息人士指出,三星已经在凤凰城及其周边寻找合适的地点建厂了。据此前的报道称,三星的这家3nm制造厂有望在今年开始建设,最快会在2023年开始投入运营。

三星落后多年,终于向台积电“宣战”,首颗3nm芯片问世!

届时英特尔、英伟达都有可能成为三星的大客户。值得一提的是,去年三星一举拿下了高通骁龙888芯片的5nm订单,此举被外界视为打败台积电的开始,很快又将有更多的客户投靠三星了。

对于台积电来说,这无疑是非常巨大的损失,很显然,三星正在快马加鞭地布局3nm制程工艺技术,双方必将展开殊死搏斗。那么接下来,谁能成为半导体行业的最终霸主呢?咱们拭目以待!

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王石头
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