芯片作为电子设备的“心脏”，有着十分重要的作用，近年来智能手机不断发展，芯片便成为了国与国之间的综合较量，而生产一颗芯片，往往离不开代工厂的制程工艺技术。
过去几年里，台积电在半导体制程工艺上一直处于行业领先水平，占据了非常多的市场份额，能够追赶得上台积电的厂商，全球范围内也只有三星一家了。
三星在工艺品质上却饱受质疑，无论是稳定性还是良品率都不及台积电，不过三星现在已经在穷追不舍了，并且大有赶超台积电的意思，看来双方一战在所难免了。
日前在IEEE ISSCC国际固态电路大会上，三星对外展示了采用3nm工艺制造的芯片，这是一颗256Mb(32MB)容量的SRAM存储芯片，也是3nm工艺落地的开始。
笔者了解到，三星的这颗3nm SRAM芯片首次用上了GAAFET技术MBCFET(多桥通道场效应晶体管)，实现了晶体管结构的突破，使用的鳍更厚更宽一些，称之为纳米片。
这颗芯片的容量为256Mb，面积仅56平方毫米，最令三星骄傲的是这颗芯片的超低功耗，写入电压只有0.23V，这也要感谢MBCFET配套的多种省电技术。
三星的3GAE工艺相比7LPP工艺，可以将晶体管密度增加最多80％，性能提升最多30％或者功耗降低最多50%，这意味着三星接下来可以更好地控制芯片的功耗、发热等问题了。
相比之下，台积电的3nm工艺还将继续使用FinFET技术。
可见在新工艺的应用上，三星确实跑在了台积电的前面，而三星之所以会在技术上实现反超，就不得不提起三星的重大研发投入了。
前些时候有媒体报道称，三星将计划在2030年之前实现对台积电的反超，并已经制定了一份金额高达1150亿美元的持续投资计划，就是为了在未来十年内和台积电展开全面较量。
就在近日，有爆料显示，三星计划投入最多170亿美元，在美国亚利桑那州、得克萨斯州或纽约州建设一家3nm芯片制造厂，这或许就是三星反超台积电的第一步吧！
事实也证明了这一点，有消息人士指出，三星已经在凤凰城及其周边寻找合适的地点建厂了。据此前的报道称，三星的这家3nm制造厂有望在今年开始建设，最快会在2023年开始投入运营。
届时英特尔、英伟达都有可能成为三星的大客户。值得一提的是，去年三星一举拿下了高通骁龙888芯片的5nm订单，此举被外界视为打败台积电的开始，很快又将有更多的客户投靠三星了。
对于台积电来说，这无疑是非常巨大的损失，很显然，三星正在快马加鞭地布局3nm制程工艺技术，双方必将展开殊死搏斗。那么接下来，谁能成为半导体行业的最终霸主呢？咱们拭目以待！
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