新突破!国产芯片打破海外“垄断”,3D闪存有望堆叠500层!

就在近段时间,发生了一件令国人非常振奋的事情,那就是长江存储的崛起,让原本落后的国产闪存一下子达到了世界主流水准,其推出的64层3D NAND闪存,性能甚至超越国际大厂UFS 3.1标准的闪存,真的是振奋人心!

先说华为,对于华为而言,由于芯片的受限导致手机业务不容乐观。可能很多人都只是了解华为麒麟芯片没办法生产,其实情况还更严重,前些时候美光、三星和SK海力士都已经表示不再给华为提供闪存芯片,这时候华为就只能寄希望于国产了。

不少网友都对此万分担心,因为国内在芯片方面确实比美韩差不少,使用国产内存闪存能够满足用户的使用吗,最近谜底揭开了。搭载在华为Mate 40系列上的闪存原本被报道是华为自研,由此也引发了一些争论。其实,搭载在该机上的闪存就是长江存储旗下产品。

新突破!国产芯片打破海外“垄断”,3D闪存有望堆叠500层!

在近日举办的北京微电子国际探讨会上,长江存储CEO杨士宁就公开表示,旗下64层闪存已经成功打入了华为Mate40系列供应链他说,长江存储用短短3年时间实现从32层到64层再到128层的跨越,完成了国际存储大厂6年走过的路。

所以对于华为来说,长江存储的崛起无疑是重燃了希望,因为国产供应链掌握了先进的技术,未来能够为华为提供背后支撑。事实上长江存储的实力还不止于此,此前该企业还打造了首个消费级SSD品牌“致钛”系列,共有两款产品。

新突破!国产芯片打破海外“垄断”,3D闪存有望堆叠500层!

致钛系列SSD的两款产品,SC001写入寿命170-680TBW不等,PC005则是200-640TBW不等。从这个表现来看,写入寿命相比同类产品并不短,甚至比有些产品还要长,而且产品所做的测试认证也是完全基于行业标准进行的。

在性能上,致钛系列更是达到了世界主流水平。SC001采用SATA 3.0接口,读取速度可达520MB/s,写入速度达510MB/s,随机性能4K随机读取为80K IOPS,随机写入为70K IOPS这样的表现基本上达到了SATA 6Gbps接口的极限。

新突破!国产芯片打破海外“垄断”,3D闪存有望堆叠500层!

另一款产品致钛PC005为PCIe接口,其采用的是长江存储自家Xtacking技术的3D闪存芯片,采用PCIe Gen3x4接口,NVMe协议,搭配512MB至1GB DRAM缓存,可以实现最高3500MB/s顺序读取速度和最高2900MB/s的顺序写入速度。

至于华为Mate 40系列采用的64层3D NAND闪存,其实也不是长江存储最先进的技术,现在长江存储已经做到了128层。尽管美光最近宣布已经做到了176层,但长江存储已经打好了基础,未来可以一步步实现突破。

新突破!国产芯片打破海外“垄断”,3D闪存有望堆叠500层!

最近官方就做出了表态,未来长江存储达到256层、300层、500层都是有可能的预计极限大概在500层左右,届时可能会找到全新的方法、设备或是理论,甚至突破到500层以上也是很有可能的。就像半导体工艺,7nm、5nm在过去几乎不可想象的,但现在已经实现。

不得不说长江存储的突破,是国产闪存的崛起的开端,它打破海外多年来的技术“垄断”在2019年9月份之前,国产闪存在全球市场的占比几乎为零,但一年之后再看今天,长江存储已经进入全球前七名了,产能占比占全球1%。

尽管目前所占份额还很小,但可以肯定的是这绝对是一个良好的开端。据悉长江存储目前以64层256GB的TLC闪存为主,其良品率已经达到了90%,128层QLC闪存目前仍处于产能和产量提升阶段,相信接下来我们将迎来国产闪存腾飞的阶段,一起期待吧!

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王石头
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