国产内存最近出现了不少好消息,此前有媒体报道称,安徽合肥的长鑫存储日前就成为了国内第一家,也是唯一一家DRAM内存供应商。
报道显示,长鑫存储现已经建成第一座300毫米晶圆厂,如今已投入使用,并且有独有的技术体系生产内存,未来将生产国产第一代10nm工艺级8Gb DDR4内存芯片,而且已经通过了中国电子技术标准化研究院的量产良率检测报告。
长鑫存储晶圆厂
据悉长鑫内存自主制造项目的总投资高达1500亿元,现在每月可以量产20000晶圆。报道还表示,2020年第二季度速度可达40000晶圆/月,大概能占到全球内存产能的3%。
国内另一家内存厂清华紫光也正在紧密计划中,根据此前的披露。清华紫光已经与重庆达成了相关合作,将在重庆建立研发中心和DRAM晶圆厂,并在2021年完成。
可以看出国产内存正在蓬勃兴起,预计未来三到五年将会快速发展,如此境遇下,内存一哥三星将面临着巨大的危险,所以为了打击国产内存的发展,三星也在不断进行大手笔投资,以抑制国产内存的崛起。
据韩国媒体报道,三星日前有决定了一项新的投资计划,将对中国芯片工厂增加80亿美元的投资,约合新560亿人民币,用以促进闪存芯片的生产。主要原因是5G爆发,明年全球内存芯片市场将出现反弹。
三星电子存储芯片二期西安
三星曾在2017年宣布了在中国的投资,将在三年内向生产NAND闪存芯片的西安工厂投资70亿美元,更早些时候,三星还向西安的一家检测和包装工厂投资了108亿美元,都是大手笔的投资,三星的龙头地位不可动摇。
如今三星再出投入80亿美元,主要是向三星西安闪存芯片项目的二期的第二阶段投资,之前的108亿美元为第一期投资,二期投资总金额为150亿美元,第一阶段的70亿美元已经投入,现在的80亿美元为第二阶段。
按照计划,三星二期项目将于2021年下半年竣工,届时将为三星新增每月13万片的产能,新增产值高达300亿元。对于三星此举,分析人士认为是为了打击国产自主内存才做的投资,以保证三星在创新上有足够的领先优势。
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